BSC0501NSIATMA1 vs BSC011N03LSATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de BSC0501NSIATMA1 por Infineon e BSC011N03LSATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | BSC0501NSIATMA1 | BSC011N03LSATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,65 | $0,54 |
| Manufacturer | Infineon | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 25V/30V | — |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 29 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | 100 A (TC) |
| Power Dissipation at Ta (PD) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc (PD) | 50 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | 1.0 V to 2.2 V (typ 1.6 V) |
| On-Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V VGS] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] |
| Temperatura de junção de operação | -55C to +150C | — |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Nível MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Technology | Trench-gate OptiMOS 5 | — |
| Product Series | — | OptiMOS 30V |
| Polarity | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 37 A |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 1.1 mOhm (typ) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/-20 V |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 96 W |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 2.5 W |
| Faixa de temperatura de operação | — | -55C to +150C |