BSC0501NSIATMA1 vs BSC011N03LSATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSC0501NSIATMA1 от Infineon и BSC011N03LSATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSC0501NSIATMA1 BSC0501NSIATMA1 - 30V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET 100A | Infineon

BSC0501NSIATMA1 - 30V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET 100A | Infineon

BSC0501NSIATMA1 ✓ Активен
Infineon
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

BSC011N03LSATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

BSC011N03LSATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSC0501NSIATMA1 BSC011N03LSATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,65 $0,54
Manufacturer Infineon Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 25V/30V —
Тип транзистора N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 29 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] 100 A (TC)
Power Dissipation at Ta (PD) 2.5 W —
Power Dissipation at Tc (PD) 50 W —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] 1.0 V to 2.2 V (typ 1.6 V)
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V VGS] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Рабочая температура перехода -55C to +150C —
Корпус PG-TDSON-8-6 (SuperSO8) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Уровень MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Статус RoHS Compliant Compliant
Avalanche Rated Yes —
Technology Trench-gate OptiMOS 5 —
Product Series — OptiMOS 30V
Polarity — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 37 A
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 1.1 mOhm (typ)
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 96 W
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.5 W
Диапазон рабочих температур — -55C to +150C

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену