BSC0504NSIATMA1 vs IAUC60N04S6L039ATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de BSC0504NSIATMA1 por Infineon e IAUC60N04S6L039ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | BSC0504NSIATMA1 | IAUC60N04S6L039ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,00 | $0,72 |
| Tipo de transistor | N-channel MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage | 30 V | — |
| Continuous Drain Current at Ta | 21 A | — |
| Continuous Drain Current at Tc | 72 A | — |
| Power Dissipation at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 30 W | — |
| Technology Family | OptiMOS 5 | — |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8-6 | PG-TDSON-8 (SSO8) 5x6 mm |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Número de pinos | 8 pins | — |
| Exposed Pad | Yes, according to distributor package description | — |
| On-State Resistance | [DATA_NEEDED: on-state resistance] | — |
| Gate Charge | [DATA_NEEDED: gate charge] | — |
| Tensão de limiar de gate | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Resistência térmica | [DATA_NEEDED: thermal resistance] | — |
| Faixa de temperatura de operação | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| AEC-Q100 Qualification | [DATA_NEEDED: AEC-Q100 qualification] | — |
| Status RoHS | unknown | Compliant |
| Lead-Free Status | unknown | — |
| Halogen-Free Status | unknown | — |
| REACH Status | unknown | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Technology | — | OptiMOS 6 (trench) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) | — | 60 A |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | 240 A |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | — | 3.9 milliohm |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Total Gate Charge (Q_G) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (P_D) | — | 42 W |
| Temperatura de junção de operação | — | -55C to +175C |
| Nível MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Avalanche Rated | — | Yes (100% avalanche tested) |