BSC0504NSIATMA1 vs IAUC60N04S6L039ATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSC0504NSIATMA1 от Infineon и IAUC60N04S6L039ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSC0504NSIATMA1 BSC0504NSIATMA1 - 30V 21A N-MOSFET | Infineon | Power Switching

BSC0504NSIATMA1 - 30V 21A N-MOSFET | Infineon | Power Switching

BSC0504NSIATMA1 ✓ Активен
Infineon
IAUC60N04S6L039ATMA1 IAUC60N04S6L039ATMA1 - 40V 60A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6L039ATMA1 - 40V 60A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6L039ATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSC0504NSIATMA1 IAUC60N04S6L039ATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,00 $0,72
Тип транзистора N-channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage 30 V —
Continuous Drain Current at Ta 21 A —
Continuous Drain Current at Tc 72 A —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 30 W —
Technology Family OptiMOS 5 —
Корпус PG-TDSON-8-6 PG-TDSON-8 (SSO8) 5x6 mm
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Количество выводов 8 pins —
Exposed Pad Yes, according to distributor package description —
On-State Resistance [DATA_NEEDED: on-state resistance] —
Gate Charge [DATA_NEEDED: gate charge] —
Пороговое напряжение затвора [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Тепловое сопротивление [DATA_NEEDED: thermal resistance] —
Диапазон рабочих температур [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
AEC-Q100 Qualification [DATA_NEEDED: AEC-Q100 qualification] —
Статус RoHS unknown Compliant
Lead-Free Status unknown —
Halogen-Free Status unknown —
REACH Status unknown —
FET Type — N-Channel
Technology — OptiMOS 6 (trench)
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) — 60 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — 240 A
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 3.9 milliohm
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Q_G) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (P_D) — 42 W
Рабочая температура перехода — -55C to +175C
Уровень MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену