BSC059N04LSGATMA1 vs BSC066N06NSATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC059N04LSGATMA1 por Infineon e BSC066N06NSATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC059N04LSGATMA1 BSC066N06NSATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,39 $0,49
Technology OptiMOS 3 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS 5 60 V trench-gate
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 73 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 16 A —
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 5.9 mOhm —
Power Dissipation (Tc=25C) 50 W —
Power Dissipation (Ta=25C) 2.5 W —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) 1.2 V to 2.0 V (typ) —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg total, typical nC] —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +150 C —
Encapsulamento PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-6 (TDSON EP)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Status RoHS Compliant Compliant
REACH Status Compliant —
Channel Type N-Channel —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 64 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C — 45 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 256 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 6.6 mΩ (max)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.7 V (typ)
Total Gate Charge (Qg) — 26 nC (typ)
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 46 W
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 2.5 W
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RθJC) — 1.3 °C/W
Temperatura de junção de operação — -55°C to +150°C

Fichas técnicas e recursos

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