BSC077N12NS3GATMA1 vs BSC060N10NS3GATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de BSC077N12NS3GATMA1 por Infineon e BSC060N10NS3GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
BSC077N12NS3GATMA1 - 120V OptiMOS 3 N-Ch MOSFET, 7.7mΩ | Infineon
BSC077N12NS3GATMA1 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | BSC077N12NS3GATMA1 | BSC060N10NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,71 | $0,78 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 3 (120 V) | OptiMOS 3 |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET (enhancement-mode trench) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | 100 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max] | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 13.4 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 98 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | — |
| On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 7.7 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 2.5 V | — |
| Total Gate Charge Qg typ | [DATA_NEEDED: Qg] | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 139 W | — |
| Temperatura de junção de operação | -55C to +150C | -55 C to +150 C |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Contagem de pinos | 8 | — |
| Nível MSL | 1 | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Automotive Grade | Yes (per Infineon part number suffix / datasheet) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 14.9 A |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 90 A |
| On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V | — | 6 mOhm |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | — | 125 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 2.0 V to 3.5 V |
| Technology | — | OptiMOS 3 (Trench MOSFET) |
| Lead-Free | — | Yes |
| Livre de halogênio | — | [DATA_NEEDED: halogen status] |
| Gate Charge (Qg, typ) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss value] |
| Avalanche Energy (EAS) | — | [DATA_NEEDED: EAS value] |