BSC084P03NS3GATMA1 vs BSC076N06NS3GATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de BSC084P03NS3GATMA1 por Infineon e BSC076N06NS3GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
BSC084P03NS3GATMA1 - P-Ch 30V 78.6A OptiMOS P3 MOSFET | Infineon
BSC084P03NS3GATMA1 ✓ AtivoInfineon
BSC076N06NS3GATMA1 - 60V 50A 7.6mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon
BSC076N06NS3GATMA1 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | BSC084P03NS3GATMA1 | BSC076N06NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,24 | $0,65 |
| Polarity / Channel Type | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -30 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | 14.9 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 78.6 A | — |
| Rds(on) max @ VGS = -10 V | 6.1 mOhm | — |
| Rds(on) max @ VGS = -2.5 V | [DATA_NEEDED: Rds(on) at 2.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | -1.7 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 58 nC @ VGS = -10 V | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Input Capacitance (Ciss) | 3.19 nF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 110 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 1.52 nF | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | 69 W | 69 W |
| Faixa de temperatura de operação | -55C to +150C | -55C to +150C |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6) | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology Family | OptiMOS P3 | — |
| Status RoHS | Compliant | — |
| Nível MSL | 1 (unlimited) | 1 (unlimited) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 3 |
| Technology | — | N-Channel Trench MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 50 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 7.6 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | — | 10.4 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.0 V to 3.5 V |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| Livre de halogênio | — | Yes (per Infineon product page) |