BSC084P03NS3GATMA1 vs BSC076N06NS3GATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSC084P03NS3GATMA1 par Infineon et BSC076N06NS3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
BSC084P03NS3GATMA1 - P-Ch 30V 78.6A OptiMOS P3 MOSFET | Infineon
BSC084P03NS3GATMA1 ✓ ActifInfineon
BSC076N06NS3GATMA1 - 60V 50A 7.6mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon
BSC076N06NS3GATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | BSC084P03NS3GATMA1 | BSC076N06NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,24 | $0,65 |
| Polarity / Channel Type | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -30 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | 14.9 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 78.6 A | — |
| Rds(on) max @ VGS = -10 V | 6.1 mOhm | — |
| Rds(on) max @ VGS = -2.5 V | [DATA_NEEDED: Rds(on) at 2.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | -1.7 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 58 nC @ VGS = -10 V | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Input Capacitance (Ciss) | 3.19 nF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 110 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 1.52 nF | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | 69 W | 69 W |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C | -55C to +150C |
| Boîtier | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6) | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology Family | OptiMOS P3 | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Niveau MSL | 1 (unlimited) | 1 (unlimited) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 3 |
| Technology | — | N-Channel Trench MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 50 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 7.6 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | — | 10.4 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.0 V to 3.5 V |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| Sans halogène | — | Yes (per Infineon product page) |