BSC084P03NS3GATMA1 vs BSP316PH6327XTSA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de BSC084P03NS3GATMA1 por Infineon e BSP316PH6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
BSC084P03NS3GATMA1 - P-Ch 30V 78.6A OptiMOS P3 MOSFET | Infineon
BSC084P03NS3GATMA1 ✓ Ativo
Comparação de especificações
| Parâmetro | BSC084P03NS3GATMA1 | BSP316PH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,24 | $0,21 |
| Polarity / Channel Type | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -30 V | — |
| Continuous Drain Current (Ta) | 14.9 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 78.6 A | — |
| Rds(on) max @ VGS = -10 V | 6.1 mOhm | — |
| Rds(on) max @ VGS = -2.5 V | [DATA_NEEDED: Rds(on) at 2.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | -1.7 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 58 nC @ VGS = -10 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 3.19 nF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 110 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 1.52 nF | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 69 W | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55C to +150C | -55 C to +150 C (junction) |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6) | PG-SOT223-4 (TO-261-4) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology Family | OptiMOS P3 | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Nível MSL | 1 (unlimited) | 1 |
| FET Type | — | P-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | -100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | -680 mA |
| Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C | — | 1.8 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Número de pinos | — | 3 + thermal tab |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| Technology | — | SIPMOS (P-channel MOSFET) |
| Packaging | — | Tape & Reel (H6327 suffix) |