BSC0901NSATMA1 vs BSC0902NSATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de BSC0901NSATMA1 por Infineon e BSC0902NSATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | BSC0901NSATMA1 | BSC0902NSATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,78 | $0,78 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | OptiMOS 30V | — |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS) | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) Max | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 28 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | 1.9 mOhm | — |
| On-State Resistance RDS(on) Typ at VGS=10V | [DATA_NEEDED: RDS(on) typical] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | — |
| Gate Charge (Qg) Typ | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| Avalanche Energy (EAS) | 80 mJ | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 69 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55C to +150C | -55C to +150C (Tj) |
| Encapsulamento | TDSON-8-5 (PG-TDSON-8-5) / SuperSO8 5x6 mm | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 | — |
| Built-in Body Diode | Yes | — |
| Status RoHS | Compliant | — |
| Configuration | Single N-Channel with Built-in Diode | — |
| Tipo de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 24 A |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | — | 100 A |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 48 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| RDS(on) @ VGS=10V max | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] |
| RDS(on) @ VGS=4.5V max | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Total Gate Charge (Qg typ) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Qualification | — | JEDEC qualified for target applications |
| RoHS Compliance | — | Compliant (Pb-free lead plating) |
| Livre de halogênio | — | Yes, per IEC 61249-2-21 |
| Avalanche Rated | — | Yes (100% avalanche tested) |