BSC0901NSATMA1 vs BSC0902NSATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSC0901NSATMA1 제조: Infineon 및 BSC0902NSATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 BSC0901NSATMA1 BSC0902NSATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.78 $0.78
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS 30V —
Technology N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 28 A —
On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 1.9 mOhm —
On-State Resistance RDS(on) Typ at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) typical] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Gate Charge (Qg) Typ [DATA_NEEDED: Qg total] —
Avalanche Energy (EAS) 80 mJ —
Power Dissipation (PD) at Tc 69 W —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
동작 온도 범위 -55C to +150C -55C to +150C (Tj)
패키지 TDSON-8-5 (PG-TDSON-8-5) / SuperSO8 5x6 mm PG-TDSON-8-6 (SuperSO8)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
습도 민감도 레벨 (MSL) 1 —
Built-in Body Diode Yes —
RoHS 상태 Compliant —
Configuration Single N-Channel with Built-in Diode —
트랜지스터 유형 — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 24 A
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) — 100 A
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 48 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
RDS(on) @ VGS=10V max — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
RDS(on) @ VGS=4.5V max — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Total Gate Charge (Qg typ) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Qualification — JEDEC qualified for target applications
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free lead plating)
할로겐 프리 — Yes, per IEC 61249-2-21
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)

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