BSC0901NSIATMA1 vs IAUZ18N10S5L420ATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de BSC0901NSIATMA1 por Infineon e IAUZ18N10S5L420ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
IAUZ18N10S5L420ATMA1 - 100V 18A 42mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon
IAUZ18N10S5L420ATMA1 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | BSC0901NSIATMA1 | IAUZ18N10S5L420ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,38 | $0,48 |
| Technology | OptiMOS 25V N-Channel Power MOSFET | OptiMOS 5 trench |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 28 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 2.0 mOhm typical | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.2 V max | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge nC] | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 69 W | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55 C to +150 C | — |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8-6 (5x6 mm with exposed pad) | PG-TSDSON-8-32 (S3O8) 3.3x3.3 mm |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Contagem de pinos | 8 | — |
| Nível MSL | 1 | 1 |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Livre de halogênio | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 5 100V |
| Tipo de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 18 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 42 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.7 V to 2.7 V |
| Total Gate Charge (Qg) typ. | — | 8.5 nC |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 30 W |
| Temperatura de junção de operação | — | -55 °C to +175 °C |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Configuration | — | Single with built-in diode |