BSC0902NSIATMA1 vs BSC023N08NS5SCATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de BSC0902NSIATMA1 por Infineon e BSC023N08NS5SCATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
BSC023N08NS5SCATMA1 - 80V, 2.3mΩ OptiMOS 5 Power MOSFET | Infineon
BSC023N08NS5SCATMA1 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | BSC0902NSIATMA1 | BSC023N08NS5SCATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,32 | $1,05 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 30V | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 30 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 23 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | — |
| On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | 2.8 mOhm | — |
| Gate Charge QG(0V..10V) | 24 nC | — |
| Output Charge QOSS | 17 nC | — |
| Power Dissipation (TA) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 48 W | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55C to +150C (junction) | — |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8-6 (TDSON-8) | PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Built-in Diode | Yes (single with built-in diode) | — |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Livre de halogênio | Yes | — |
| Part Number | — | BSC023N08NS5SCATMA1 |
| Technology | — | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 202 A |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | — | 188 W |
| On-State Resistance RDS(on) typ. | — | 2.3 mΩ at VGS=10 V, ID=50 A |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ. | — | 3.8 V |
| Total Gate Charge Qg | — | 98 nC at VGS=10 V |
| Input Capacitance Ciss | — | 6.8 nF |
| Output Capacitance Coss | — | 74 pF |
| Thermal Resistance RthJC | — | 0.72 K/W |
| Temperatura de junção de operação | — | -55 °C to +175 °C |