BSC0911NDATMA1 vs BSC0993NDATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de BSC0911NDATMA1 por Infineon e BSC0993NDATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | BSC0911NDATMA1 | BSC0993NDATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,46 | $1,32 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 25V | — |
| Configuration | Dual N-Channel (2 N-CH) | Dual N-Channel (Array) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 18 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 30 A | — |
| Power Dissipation (PD) | 1 W | — |
| Encapsulamento | PG-TISON-8 (8-PowerTDFN) | PG-TISON-8 |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de operação | -55C to +150C (junction) | — |
| Channel Type | N-Channel Enhancement Mode | — |
| Technology | OptiMOS trench MOSFET | OptiMOS 5 trench MOSFET |
| Gate Threshold (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| RDS(on) max @ VGS=10V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Product Series | — | OptiMOS 5 30V |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ Ta | — | 17 A |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| Faixa de temperatura de operação | — | -55C to +150C (junction) |
| ESD Protection | — | Yes (integrated) |
| Lead-Free | — | Yes |
| Rds(on) max @ Vgs=10V | — | [DATA_NEEDED: Rds(on) value] |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] |