BSC093N15NS5ATMA1 vs BSC0902NSATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC093N15NS5ATMA1 por Infineon e BSC0902NSATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC093N15NS5ATMA1 BSC0902NSATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,83 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies —
Technology OptiMOS 5 150V —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 87 A —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V 9.3 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC 139 W —
Encapsulamento SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-7) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Gate Drive Voltage (VGS) Recommended 10 V —
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55C to +150C (Tj)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
Status RoHS Compliant —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Livre de halogênio [DATA_NEEDED: halogen free status] —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 24 A
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) — 100 A
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 48 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
RDS(on) @ VGS=10V max — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
RDS(on) @ VGS=4.5V max — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Total Gate Charge (Qg typ) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Qualification — JEDEC qualified for target applications
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free lead plating)
Livre de halogênio — Yes, per IEC 61249-2-21
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)

Fichas técnicas e recursos

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