BSC094N06LS5ATMA1 vs BSC052N08NS5ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC094N06LS5ATMA1 por Infineon e BSC052N08NS5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC094N06LS5ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,38 $0,52
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC094N06LS5ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1
Technology OptiMOS™ 5 (logic-level) OptiMOS 5
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 47 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) max at VGS=10 V 9.4 mΩ —
RDS(on) max at VGS=4.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 36 W —
Temperatura de junção de operação -55 °C to +150 °C -55C to +150C
Encapsulamento PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (unlimited)
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 95 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 5.2 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.5-3.0 V
Total Power Dissipation (Tc) — 83 W
Total Power Dissipation (Ta) — 2.5 W

Fichas técnicas e recursos

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