BSC120N03LSGATMA1 vs BSC0906NSATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC120N03LSGATMA1 por Infineon e BSC0906NSATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC120N03LSGATMA1 BSC0906NSATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,36 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 3 —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 12 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 39 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V 12 mOhm (typical) —
On-State Resistance RDS(on) at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 28 W —
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (TJ) -55C to +150C (junction, typical)
Encapsulamento PG-TDSON-8-5 (SuperSO-8, 5x6 mm) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8, 5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Status RoHS Compliant Compliant
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 18 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 63 A
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 30 W
Technology — OptiMOS
RDS(on) max (typical reference) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V]
Contagem de pinos — 8

Fichas técnicas e recursos

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