BSC265N10LSFGATMA1 vs BSC118N10NSGATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC265N10LSFGATMA1 por Infineon e BSC118N10NSGATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC265N10LSFGATMA1 BSC118N10NSGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,72 $0,78
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 40 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 6.5 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 78 W —
Technology OptiMOS 2 (TrenchFET) Trench MOSFET
Encapsulamento PG-TDSON-8-1 (TDSON-8) PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total at VGS=10V] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss typical] —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +150 C (junction) —
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Avalanche Rated Yes —
Series OptiMOS 2 —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 2
Mode — Enhancement (Normal Level)
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 11 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 71 A
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 114 W
Temperatura de junção de operação — -55 C to +150 C
Lead Plating — Pb-free
Livre de halogênio — Yes
JEDEC Qualification — Qualified per target application
Target Application — High-frequency SMPS, synchronous rectification
Gate Charge x RDS(on) FOM — Excellent (per datasheet)

Fichas técnicas e recursos

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