BSC360N15NS3GATMA1 vs BSC098N10NS5ATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de BSC360N15NS3GATMA1 por Infineon e BSC098N10NS5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
BSC360N15NS3GATMA1 - 150V 36mOhm N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon
BSC360N15NS3GATMA1 ✓ AtivoInfineon
BSC098N10NS5ATMA1 - 100V 60A OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon
BSC098N10NS5ATMA1 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | BSC360N15NS3GATMA1 | BSC098N10NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,82 | $0,55 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BSC360N15NS3GATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET) | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 33 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 36 mOhm | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 74 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS th) typ | 3.0 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) typ | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 5x6 mm) | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Faixa de temperatura de operação | -55°C to +150°C (junction) | [DATA_NEEDED: Tj min/max] |
| Avalanche Energy Rated | Yes | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Nível MSL | 1 | 1 |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 60 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | [DATA_NEEDED: ID Ta-rated value] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 9.8 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max +/-] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg] |
| Power Dissipation (Tc=25C) | — | 69 W |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Diode Continuous Forward Current (IS) | — | 63 A (Tc=25C) |
| Diode Pulse Current (IS,pulse) | — | 240 A (Tc=25C) |
| Diode Forward Voltage (VSD) typ | — | 0.9 V (IF=30 A, Tj=25C) |
| Diode Forward Voltage (VSD) max | — | 1.1 V (IF=30 A, Tj=25C) |
| Shipping Packaging | — | Tape & Reel (T/R) |