BSD214SNH6327XTSA1 vs BSP316PH6327XTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSD214SNH6327XTSA1 por Infineon e BSP316PH6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSD214SNH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,27 $0,21
FET Type N-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS SIPMOS (P-channel MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 20 V —
Continuous Drain Current (Id) at 25C 1.5 A —
Power Dissipation (Pd) at Ta 500 mW —
Gate Drive Voltage (Rds On rated) 2.5 V, 4.5 V —
Rds On (Max) @ Vgs=4.5V [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=4.5V] —
Rds On (Max) @ Vgs=2.5V [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=2.5V] —
Vgs(th) (typical) [DATA_NEEDED: Vgs threshold typical] —
Encapsulamento SOT-363 (PG-SOT363-PO), 6-pin PG-SOT223-4 (TO-261-4)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (junction) -55 C to +150 C (junction)
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Lead Plating Pb-free —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL 1 1
Standard Pack Quantity 3000 (Tape & Reel) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — -680 mA
Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C — 1.8 W
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Número de pinos — 3 + thermal tab
Channel Mode — Enhancement
Packaging — Tape & Reel (H6327 suffix)

Fichas técnicas e recursos

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