BSD235CH6327XTSA1 vs BSP315PH6327XTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSD235CH6327XTSA1 por Infineon e BSP315PH6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro BSD235CH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,12 $0,31
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS™ —
Configuration N+P complementary dual MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 20 V —
N-Channel Continuous Drain Current (ID) 950 mA —
P-Channel Continuous Drain Current (ID) 530 mA (negative polarity) —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW —
Package Type PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS™ low-voltage OptiMOS (enhancement mode)
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +150 °C (junction) -55 C to +150 C (junction)
Polarity N-channel + P-channel —
Channel Mode Enhancement —
Status RoHS Compliant (lead-free) —
Nível MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Contagem de pinos 6 —
FET Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -60 V
Continuous Drain Current (ID) — -1.17 A (Ta)
Power Dissipation (PD) — 1.8 W (Ta)
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V (max)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Encapsulamento — PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab)
Avalanche Energy Rated — Yes (per datasheet)
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant

Fichas técnicas e recursos

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