BSP129H6327XTSA1 vs BSP135H6327XTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSP129H6327XTSA1 por Infineon e BSP135H6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSP129H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,30 $0,43
FET Type N-Channel, Depletion Mode N-Channel, Depletion Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 350 mA —
On-Resistance RDS(on) max 4.2 ohm (some sources 6 ohm) 45 ohm at VGS = 0 V
Power Dissipation (PD) at TA=25C 1.8 W —
Encapsulamento PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+Tab) PG-SOT223-4 (SOT-223-3 plus tab)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação -55 C to +150 C (junction) —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Threshold Voltage VGS(off) [DATA_NEEDED: depletion threshold VGS(off)] —
dv/dt Ruggedness Yes (rated) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Process Technology SIPMOS (vertical DMOS) —
Drain Terminal Tab (pin 4) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSP135H6327XTSA1
Continuous Drain Current (ID) — 120 mA
Power Dissipation (PD) — 1.8 W
On-Resistance RDS(on) — 25 ohm (typical, per digchip)
Operating Mode — Normally ON (depletion)
Technology — SIPMOS (planar DMOS)
Faixa de temperatura de operação — -55C to +150C (junction, typical)

Fichas técnicas e recursos

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