BSP129H6327XTSA1 vs BSR316PH6327XTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSP129H6327XTSA1 por Infineon e BSR316PH6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSP129H6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,30 $0,22
FET Type N-Channel, Depletion Mode P-Channel Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V -100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 350 mA —
On-Resistance RDS(on) max 4.2 ohm (some sources 6 ohm) —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 1.8 W —
Encapsulamento PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+Tab) PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-23 equivalent)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação -55 C to +150 C (junction) —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Threshold Voltage VGS(off) [DATA_NEEDED: depletion threshold VGS(off)] —
dv/dt Ruggedness Yes (rated) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Process Technology SIPMOS (vertical DMOS) —
Drain Terminal Tab (pin 4) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSR316PH6327XTSA1
Series — OptiMOS
Continuous Drain Current (ID) at TA — -360 mA
Continuous Drain Current (ID) at TC — [DATA_NEEDED: ID at TC specific value]
On-State Resistance RDS(on) max — 1800 mOhm at VGS = -10 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) — -1.7 V typical, -2.5 V max
Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg total]
Power Dissipation (Tc) — 500 mW
Faixa de temperatura de operação — -55 C to +150 C (junction)
Qualification — Automotive
Polarity — P-Channel

Fichas técnicas e recursos

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