BSP129H6906XTSA1 vs BSS127H6327XTSA2 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSP129H6906XTSA1 por Infineon e BSS127H6327XTSA2 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
BSP129H6906XTSA1 BSP129H6906XTSA1 - 240V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP129H6906XTSA1 - 240V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP129H6906XTSA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro BSP129H6906XTSA1 BSS127H6327XTSA2
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,65 $0,03
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSP129H6906XTSA1 —
FET Type N-Channel, Depletion Mode N-Channel SIPMOS, enhancement mode
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 350 mA —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 1.8 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 6 Ohm (max) —
Operating Mode Normally-On (Depletion) —
Gate-Source Pinch-Off Voltage [DATA_NEEDED: VGS(off) typical value] —
Encapsulamento PG-SOT223-4 (SOT-223) SOT-23-3 (PG-SOT23)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Número de pinos 3 functional + 1 tab (4 leads) —
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: TJ max] —
ESD Protection Integrated Zener diodes on gate —
Status RoHS Compliant Compliant (lead-free)
Nível MSL 1 (unlimited floor life) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Continuous Drain Current (ID) — 21 mA (Ta)
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4.5 V (logic level, rated)
On-State Resistance (RDS(on)) max — 500 ohm at ID = 21 mA
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW (Ta)
Temperatura de junção de operação — -55 C to +150 C
Contagem de pinos — 3
dv/dt Rated — Yes
Automotive Qualification — AEC-Q101
Livre de halogênio — Yes, per IEC 61249-2-21

Fichas técnicas e recursos

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