BSP129H6906XTSA1 vs BSS127H6327XTSA2 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSP129H6906XTSA1 제조: Infineon 및 BSS127H6327XTSA2 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
BSP129H6906XTSA1 BSP129H6906XTSA1 - 240V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP129H6906XTSA1 - 240V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP129H6906XTSA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 BSP129H6906XTSA1 BSS127H6327XTSA2
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.65 $0.03
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSP129H6906XTSA1 —
FET Type N-Channel, Depletion Mode N-Channel SIPMOS, enhancement mode
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 350 mA —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 1.8 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 6 Ohm (max) —
Operating Mode Normally-On (Depletion) —
Gate-Source Pinch-Off Voltage [DATA_NEEDED: VGS(off) typical value] —
패키지 PG-SOT223-4 (SOT-223) SOT-23-3 (PG-SOT23)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
핀 수 3 functional + 1 tab (4 leads) —
동작 온도 범위 [DATA_NEEDED: TJ max] —
ESD Protection Integrated Zener diodes on gate —
RoHS 상태 Compliant Compliant (lead-free)
MSL 레벨 1 (unlimited floor life) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Continuous Drain Current (ID) — 21 mA (Ta)
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4.5 V (logic level, rated)
On-State Resistance (RDS(on)) max — 500 ohm at ID = 21 mA
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW (Ta)
동작 접합 온도 — -55 C to +150 C
핀 수 — 3
dv/dt Rated — Yes
Automotive Qualification — AEC-Q101
할로겐 프리 — Yes, per IEC 61249-2-21

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