BSP88H6327XTSA1 vs BSD235CH6327XTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSP88H6327XTSA1 por Infineon e BSD235CH6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSP88H6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,21 $0,12
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V —
Continuous Drain Current (ID) 350 mA at Ta=25 C —
Power Dissipation (PD) 1.8 W at Ta=25 C —
Encapsulamento PG-SOT223-4 (SOT-223-3) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
On-State Resistance (RDS(on)) 6 ohm typical at VGS=10 V —
Configuration Single N+P complementary dual MOSFET
Temperatura de operação -55 C to +150 C —
Technology SIPMOS (planar enhancement mode) OptiMOS™ low-voltage
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Compliant —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Drain Tab Connection SOT-223 tab is drain —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS™
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 20 V
N-Channel Continuous Drain Current (ID) — 950 mA
P-Channel Continuous Drain Current (ID) — 530 mA (negative polarity)
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW
Package Type — PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin)
Faixa de temperatura de operação — -55 °C to +150 °C (junction)
Polarity — N-channel + P-channel
Channel Mode — Enhancement
Status RoHS — Compliant (lead-free)
Contagem de pinos — 6

Fichas técnicas e recursos

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