BSR802NL6327HTSA1 vs BSS87H6327FTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSR802NL6327HTSA1 por Infineon e BSS87H6327FTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSR802NL6327HTSA1 BSS87H6327FTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,15 $0,18
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSR802NL6327HTSA1 —
Technology OptiMOS 2 (N-Channel Trench MOSFET) —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max 20 V —
Continuous Drain Current (ID) max 3.7 A (Ta=25C) —
Power Dissipation (PD) max 500 mW (Ta=25C) —
On-Resistance (RDS(on)) typ 23 mOhm @ VGS=4.5 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Encapsulamento PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-346) PG-SOT89-4-2 (SOT-89)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de junção de operação -55C to +150C —
Qualification Automotive —
Status RoHS Compliant Compliant
Contagem de pinos 3 3 (Gate / Drain / Source)
FET Type — N-Channel enhancement-mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 240 V
Continuous Drain Current (ID) — 260 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 1 W (Ta)
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 6 ohm max at VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
Faixa de temperatura de operação — -55C to +150C (junction)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead-Free / Pb-Free — Yes (Pb-free plating)
Nível MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Process Technology — Vertical DMOS

Fichas técnicas e recursos

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