BSR802NL6327HTSA1 vs BSS87H6327FTSA1 比較

詳細な並列比較: BSR802NL6327HTSA1 メーカー: Infineon および BSS87H6327FTSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSR802NL6327HTSA1 BSR802NL6327HTSA1 - 20V N-Ch 3.7A OptiMOS 2 MOSFET | Infineon

BSR802NL6327HTSA1 - 20V N-Ch 3.7A OptiMOS 2 MOSFET | Infineon

BSR802NL6327HTSA1 ✓ 生産中
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BSS87H6327FTSA1 BSS87H6327FTSA1 - 240V N-Ch MOSFET, 260mA, SOT-89 | Infineon

BSS87H6327FTSA1 - 240V N-Ch MOSFET, 260mA, SOT-89 | Infineon

BSS87H6327FTSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSR802NL6327HTSA1 BSS87H6327FTSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.15 $0.18
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSR802NL6327HTSA1 —
Technology OptiMOS 2 (N-Channel Trench MOSFET) —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max 20 V —
Continuous Drain Current (ID) max 3.7 A (Ta=25C) —
Power Dissipation (PD) max 500 mW (Ta=25C) —
On-Resistance (RDS(on)) typ 23 mOhm @ VGS=4.5 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
パッケージ PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-346) PG-SOT89-4-2 (SOT-89)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作接合温度 -55C to +150C —
Qualification Automotive —
RoHS ステータス Compliant Compliant
ピン数 3 3 (Gate / Drain / Source)
FET Type — N-Channel enhancement-mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 240 V
Continuous Drain Current (ID) — 260 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 1 W (Ta)
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 6 ohm max at VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
動作温度範囲 — -55C to +150C (junction)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead-Free / Pb-Free — Yes (Pb-free plating)
MSLレベル — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Process Technology — Vertical DMOS

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