BSS806NH6327XTSA1 vs BSS306NH6327XTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSS806NH6327XTSA1 por Infineon e BSS306NH6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSS806NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,19 $0,14
FET Type N-Channel N-Channel
Technology OptiMOS 2 (trench MOSFET) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source Voltage (VDS) 20 V 30 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) 2.3 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) 57 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 1.8 V rated (logic level) —
Gate Drive (recommended VGS) 1.8 V to 10 V —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg] —
Power Dissipation (PD, Ta) 500 mW —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +150 C (junction) —
Encapsulamento PG-SOT23-3 (SOT-23-3) SOT-23 (PG-SOT23), 3-pin
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Status RoHS Compliant (Pb-free plating) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSS306NH6327XTSA1
Part Family — BSS306N (OptiMOS Small Signal)
Continuous Drain Current (ID) — 2.3 A (Ta)
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
RDS(on) max — [DATA_NEEDED: exact RDS(on) max value in mΩ]
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max in V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) in V]
Temperatura de operação — -55°C to +150°C (TJ)
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
Lead Plating — Pb-free (RoHS compliant)
Configuration — Single N-Channel, 3-pin

Fichas técnicas e recursos

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