BSS84PH6327XTSA2 vs IRLML5103TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSS84PH6327XTSA2 por Infineon e IRLML5103TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IRLML5103TRPBF IRLML5103TRPBF - 30V 760mA P-Channel MOSFET | Infineon

IRLML5103TRPBF - 30V 760mA P-Channel MOSFET | Infineon

IRLML5103TRPBF ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro BSS84PH6327XTSA2 IRLML5103TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,10 $0,05
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSS84PH6327XTSA2 —
FET Type P-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) -60 V —
Continuous Drain Current (ID) -170 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 360 mW (Ta) —
On-State Resistance (RDS(on)) max 8 ohm at VGS = -10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Encapsulamento PG-SOT23 (SOT-23-3) Micro3/SOT-23
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação -55C to +150C 175 C
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
Technology Family SIPMOS OptiMOS —
Polarity P-Channel Enhancement Mode P-Channel
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Tipo de transistor — P-Channel MOSFET
Maximum Drain-Source Voltage — 30 V
Continuous Drain Current — 760 mA at Ta
Power Dissipation — 540 mW at Ta
Maximum On-Resistance — 600 mOhm
Gate Charge — 3.4 nC
Technology — IR MOSFET
Drain-Source Voltage Rating — -30 V
Channel Mode — Enhancement
Footprint — SOT-23

Fichas técnicas e recursos

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