E3AD8G16A4-HR vs K4A8G165WC-BCRC Comparação
Comparação detalhada lado a lado de E3AD8G16A4-HR por ELIXIR/NANYA e K4A8G165WC-BCRC por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | E3AD8G16A4-HR | K4A8G165WC-BCRC |
|---|---|---|
| Marca | ELIXIR/NANYA | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $8,60 | $23,00 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Organização da memória | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Tensão de alimentação | 1.2 V | — |
| Encapsulamento | TFBGA-96 | 96-ball FBGA (9mm x 13mm) |
| Taxa de dados | 3200 MT/s | 2400 Mbps |
| Latência CAS | 22 | Programmable (e.g., 16, 17, 18) |
| Burst Length | 8 (BC4 optional) | 8 (BL8) |
| Number of Banks | 16 (4 bank groups) | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | Temperature-compensated self-refresh (TCSR) |
| Temperatura de operação | 0C to +95C (TCASE) | 0°C to +95°C (case) |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade | DDR4-3200 | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| VPP Voltage | — | 2.5 V |
| Interface | — | 16-bit I/O |
| Banks | — | 16 (4 bank groups) |