E3AD8G16A4-HR vs K4A8G165WC-BCRC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de E3AD8G16A4-HR par ELIXIR/NANYA et K4A8G165WC-BCRC par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | E3AD8G16A4-HR | K4A8G165WC-BCRC |
|---|---|---|
| Marque | ELIXIR/NANYA | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $8,60 | $23,00 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | — |
| Boîtier | TFBGA-96 | 96-ball FBGA (9mm x 13mm) |
| Débit de données | 3200 MT/s | 2400 Mbps |
| Latence CAS | 22 | Programmable (e.g., 16, 17, 18) |
| Burst Length | 8 (BC4 optional) | 8 (BL8) |
| Number of Banks | 16 (4 bank groups) | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | Temperature-compensated self-refresh (TCSR) |
| Température de fonctionnement | 0C to +95C (TCASE) | 0°C to +95°C (case) |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade | DDR4-3200 | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| VPP Voltage | — | 2.5 V |
| Interface | — | 16-bit I/O |
| Banks | — | 16 (4 bank groups) |