EP4CE6F17I7N vs EP4CE6F17I8LN Comparação
Comparação detalhada lado a lado de EP4CE6F17I7N por Altera e EP4CE6F17I8LN por Altera. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | EP4CE6F17I7N | EP4CE6F17I8LN |
|---|---|---|
| Marca | Altera | Altera |
| Categoria | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $15,10 | $19,20 |
| Family | Cyclone IV E | — |
| Logic Elements (LE) | 6,272 | — |
| Embedded Memory (bits) | 276,480 | — |
| Embedded Memory Blocks | 30 (M9K, 9 Kbits each) | — |
| Multipliers (18x18) | 15 | — |
| PLLs | 2 | 4 |
| Global Clock Networks | 10 | — |
| User I/O Pins | 179 | — |
| I/O Banks | 8 | — |
| Encapsulamento | 256-FBGA (17x17 mm, 1.0 mm pitch) | FBGA-256 (17 x 17 mm, 1.0 mm pitch) |
| Temperatura de operação | -40C to +100C (Industrial) | -40C to +100C (Industrial) |
| Process Technology | 60 nm low-power | — |
| Configuration Modes | JTAG, Active Serial, Passive Serial | — |
| Memory Interface Support | DDR2, QDRII+, QDRII, SDR SDRAM | — |
| I/O Standards | LVDS, SSTL, HSTL, LVCMOS, PCI | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant (lead-free FBGA) |
| Series | — | Cyclone IV E |
| Logic Elements (LEs) | — | 6,272 |
| Logic Array Blocks (LABs) | — | 392 |
| Total RAM Bits | — | 276,480 (270 Kbits embedded memory, 30 M9K blocks) |
| Maximum User I/Os | — | 179 |
| Embedded 18x18 Multipliers | — | 15 |
| Core Voltage | — | 1.0V to 1.2V (internal) |
| I/O Voltage | — | 1.2V to 3.3V (per bank) |
| Supply Voltage (VCCINT) | — | 1.2V (nominal) |
| Tipo de montagem | — | Surface Mount |
| Configuration | — | JTAG, Active Serial (AS), Passive Serial (PS) |
| Process Node | — | 60 nm (low-power TSMC) |