EP4CE6F17I7N vs EP4CE6F17I8LN Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de EP4CE6F17I7N par Altera et EP4CE6F17I8LN par Altera. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | EP4CE6F17I7N | EP4CE6F17I8LN |
|---|---|---|
| Marque | Altera | Altera |
| Catégorie | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $15,10 | $19,20 |
| Family | Cyclone IV E | — |
| Logic Elements (LE) | 6,272 | — |
| Embedded Memory (bits) | 276,480 | — |
| Embedded Memory Blocks | 30 (M9K, 9 Kbits each) | — |
| Multipliers (18x18) | 15 | — |
| PLLs | 2 | 4 |
| Global Clock Networks | 10 | — |
| User I/O Pins | 179 | — |
| I/O Banks | 8 | — |
| Boîtier | 256-FBGA (17x17 mm, 1.0 mm pitch) | FBGA-256 (17 x 17 mm, 1.0 mm pitch) |
| Température de fonctionnement | -40C to +100C (Industrial) | -40C to +100C (Industrial) |
| Process Technology | 60 nm low-power | — |
| Configuration Modes | JTAG, Active Serial, Passive Serial | — |
| Memory Interface Support | DDR2, QDRII+, QDRII, SDR SDRAM | — |
| I/O Standards | LVDS, SSTL, HSTL, LVCMOS, PCI | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant (lead-free FBGA) |
| Series | — | Cyclone IV E |
| Logic Elements (LEs) | — | 6,272 |
| Logic Array Blocks (LABs) | — | 392 |
| Total RAM Bits | — | 276,480 (270 Kbits embedded memory, 30 M9K blocks) |
| Maximum User I/Os | — | 179 |
| Embedded 18x18 Multipliers | — | 15 |
| Core Voltage | — | 1.0V to 1.2V (internal) |
| I/O Voltage | — | 1.2V to 3.3V (per bank) |
| Supply Voltage (VCCINT) | — | 1.2V (nominal) |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Configuration | — | JTAG, Active Serial (AS), Passive Serial (PS) |
| Process Node | — | 60 nm (low-power TSMC) |