H5AN4G6NBJR-UHC vs H5AN4G6NBJR-PBC Comparação
Comparação detalhada lado a lado de H5AN4G6NBJR-UHC por SK hynix e H5AN4G6NBJR-PBC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | H5AN4G6NBJR-UHC | H5AN4G6NBJR-PBC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $8,09 | $6,60 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamanho da memória | 4 Gbit | — |
| Organização da memória | 256M x 16 | 256M x 16 (268435456 words x 16 bits) |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V | 1.2 V |
| Technology | CMOS | — |
| Temperatura de operação | -40C to +95C | [DATA_NEEDED: temperature range for -C grade] |
| Encapsulamento | FBGA-96 (PBGA-96) | FBGA-96 (PBGA96), rectangular |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Self Refresh | Auto self-refresh | — |
| Data Mask Function | Yes (DM) | — |
| Asynchronous Reset | Yes (RESET_n) | — |
| On-Die Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes (command/address CRC) | — |
| Status RoHS | Compliant | — |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| Interface | — | DDR4 (double data rate, synchronous) |
| Package Code | — | TFBGA |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Recursos | — | Auto self-refresh, data mask, asynchronous reset, dynamic ODT, ZQ calibration, write leveling, CRC |
| Data Rate / Speed Grade | — | [DATA_NEEDED: speed grade PBC data rate] |
| Latência CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for PBC speed grade] |
| Process | — | CMOS |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes (per family datasheet, Lead-Free & Halogen-Free) |
| Temperature Grade | — | OTHER (per distributor listing) |