H5AN4G8NBJR-UHC vs H5AN4G8NBJR-VKC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5AN4G8NBJR-UHC por SK hynix e H5AN4G8NBJR-VKC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC ✓ Ativo
SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKC H5AN4G8NBJR-VKC - 4Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKC - 4Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKC ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-VKC
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $3,18 $2,40
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit —
Organização da memória 512M x 8 —
Taxa de dados 2400 Mbps (PC2400) 2666 Mbps (DDR4-2666)
Tensão de alimentação 1.2 V —
Interface DDR4 (JEDEC) —
Encapsulamento TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) FBGA-78 (7.5 x 11 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology CMOS DRAM CMOS DRAM
Lifecycle Code Active —
Status RoHS Compliant (Rohs Code: Yes) Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet)
REACH Compliance Compliant —
Manufacturer SK Hynix Inc. —
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Latência CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade]
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] [DATA_NEEDED: refresh rate]
Tamanho da memória — 4 Gb
Memory Organization — 512M x8
Memory Interface — Parallel
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Volatile / Non-Volatile — Volatile
Packaging — Tray
Status do ciclo de vida — Active

Fichas técnicas e recursos

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