H5AN4G8NBJR-UHC vs H5AN4G8NBJR-VKC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN4G8NBJR-UHC par SK hynix et H5AN4G8NBJR-VKC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN4G8NBJR-UHC | H5AN4G8NBJR-VKC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $3,18 | $2,40 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 512M x 8 | — |
| Débit de données | 2400 Mbps (PC2400) | 2666 Mbps (DDR4-2666) |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | — |
| Interface | DDR4 (JEDEC) | — |
| Boîtier | TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS DRAM | CMOS DRAM |
| Lifecycle Code | Active | — |
| Statut RoHS | Compliant (Rohs Code: Yes) | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet) |
| REACH Compliance | Compliant | — |
| Manufacturer | SK Hynix Inc. | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] | [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade] |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] | [DATA_NEEDED: refresh rate] |
| Taille de mémoire | — | 4 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x8 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Volatile / Non-Volatile | — | Volatile |
| Packaging | — | Tray |
| Statut du cycle de vie | — | Active |