H5AN8G6NAFR-UHC vs H5AN8G6NDJR-UHC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5AN8G6NAFR-UHC por SK hynix e H5AN8G6NDJR-UHC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

SK hynix
H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC ✓ Ativo
SK hynix
H5AN8G6NDJR-UHC H5AN8G6NDJR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-UHC ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NDJR-UHC
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $5,74 $34,60
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
Organização da memória 512M x 16 512M x 16
Tensão de alimentação 1.2 V —
Taxa de dados 2400 MT/s —
Encapsulamento FBGA-96 FBGA-96 (13x7.5 mm)
Temperatura de operação 0°C to +85°C —
Number of Terminals 96 96
Package Code TFBGA —
Lead-Free Yes Yes
Livre de halogênio Yes Yes
RoHS Compliant Yes —
Latência CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Burst Length 8, 4 (with burst chop) —
Refresh Auto self-refresh —
Speed Grade — 3200 Mbps (PC4-25600)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Supply Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Package Shape — RECTANGULAR
JESD-30 Code — R-PBGA-B96
Maximum Operating Temperature — 85 °C
Minimum Operating Temperature — 0 °C
RoHS — Compliant
Additional Features — Auto/Self Refresh, Auto Precharge, Asynchronous Reset, Data Mask, Dynamic ODT, ZQ Calibration, CRC, Write Leveling

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação