H5AN8G6NAFR-UHC vs H5AN8G6NDJR-UHC Сравнение

Подробное сравнение бок о бок H5AN8G6NAFR-UHC от SK hynix и H5AN8G6NDJR-UHC от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

SK hynix
H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC ✓ Активен
SK hynix
H5AN8G6NDJR-UHC H5AN8G6NDJR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-UHC ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NDJR-UHC
Бренд SK hynix SK hynix
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $5,74 $34,60
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
Организация памяти 512M x 16 512M x 16
Напряжение питания 1.2 V —
Скорость передачи данных 2400 MT/s —
Корпус FBGA-96 FBGA-96 (13x7.5 mm)
Рабочая температура 0°C to +85°C —
Number of Terminals 96 96
Package Code TFBGA —
Lead-Free Yes Yes
Без галогенов Yes Yes
RoHS Compliant Yes —
Задержка CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Burst Length 8, 4 (with burst chop) —
Refresh Auto self-refresh —
Speed Grade — 3200 Mbps (PC4-25600)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Supply Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Package Shape — RECTANGULAR
JESD-30 Code — R-PBGA-B96
Maximum Operating Temperature — 85 °C
Minimum Operating Temperature — 0 °C
RoHS — Compliant
Additional Features — Auto/Self Refresh, Auto Precharge, Asynchronous Reset, Data Mask, Dynamic ODT, ZQ Calibration, CRC, Write Leveling

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену