H5AN8G6NCJR-VKC vs H5AN8G6NAFR-UHC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5AN8G6NCJR-VKC por SK hynix e H5AN8G6NAFR-UHC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

SK hynix
H5AN8G6NCJR-VKC H5AN8G6NCJR-VKC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-VKC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-VKC ✓ Ativo
SK hynix
H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5AN8G6NCJR-VKC H5AN8G6NAFR-UHC
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $60,00 $5,74
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
Organização da memória 512M x 16 512M x 16
Taxa de dados 2666 Mbps 2400 MT/s
Supply Voltage (VDD) 1.2 V (1.14V to 1.26V) —
Temperatura de operação 0°C to +95°C 0°C to +85°C
Encapsulamento FBGA-96 FBGA-96
Operating Current (IDD2N) 28 mA —
Operating Current (IDD4R) 45 mA —
Burst Length 8 (BC4) 8, 4 (with burst chop)
Latência CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency] [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Row Address Bits [DATA_NEEDED: Row Address Bits] —
Column Address Bits [DATA_NEEDED: Column Address Bits] —
Lead-Free Yes Yes
Livre de halogênio Yes Yes
RoHS Compliant —
Tensão de alimentação — 1.2 V
Number of Terminals — 96
Package Code — TFBGA
RoHS Compliant — Yes
Refresh — Auto self-refresh

Fichas técnicas e recursos

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