H5AN8G8NAFR-VKC vs H5AN8G8NAFR-PBC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5AN8G8NAFR-VKC por SK hynix e H5AN8G8NAFR-PBC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

SK hynix
H5AN8G8NAFR-VKC H5AN8G8NAFR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-VKC ✓ Ativo
SK hynix
H5AN8G8NAFR-PBC H5AN8G8NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-PBC ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5AN8G8NAFR-VKC H5AN8G8NAFR-PBC
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs DRAM
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $4,15 $2,20
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
Organização da memória 1G x 8 1G x 8
Speed Grade DDR4-2666 (VKC bin) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Interface SSTL12 DDR4 (double data rate, synchronized to clock)
Burst Length 8 (BL8) —
Bank Group Architecture Supported (per DDR4 JEDEC architecture) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
DLL Yes (DLL for output skew control) —
Encapsulamento 78-ball FBGA FBGA-78
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Status RoHS Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) Compliant
Process Technology CMOS CMOS
Recommended Application Main memory requiring large density and high bandwidth —
Tensão de alimentação — 1.2 V
Speed Grade / Data Rate — [DATA_NEEDED: speed grade / data rate]
Address Inputs — A0 - A17 (A10/AP, A12/BC_n, RAS_n/A16, CAS_n/A15, WE_n/A14 multiplexed)
Connectivity Test Mode — TEN (optional input on x4/x8, required on x16)
Lead-Free — Yes
Livre de halogênio — Yes
Datasheet Revision — Rev. 1.2 / July 2017

Fichas técnicas e recursos

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