H5AN8G8NAFR-VKC vs H5AN8G8NAFR-PBC 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5AN8G8NAFR-VKC 제조: SK hynix 및 H5AN8G8NAFR-PBC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5AN8G8NAFR-VKC | H5AN8G8NAFR-PBC |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | DRAM |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $4.15 | $2.20 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| 메모리 구성 | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Speed Grade | DDR4-2666 (VKC bin) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| 인터페이스 | SSTL12 | DDR4 (double data rate, synchronized to clock) |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| Bank Group Architecture | Supported (per DDR4 JEDEC architecture) | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| DLL | Yes (DLL for output skew control) | — |
| 패키지 | 78-ball FBGA | FBGA-78 |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| RoHS 상태 | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) | Compliant |
| Process Technology | CMOS | CMOS |
| Recommended Application | Main memory requiring large density and high bandwidth | — |
| 공급 전압 | — | 1.2 V |
| Speed Grade / Data Rate | — | [DATA_NEEDED: speed grade / data rate] |
| Address Inputs | — | A0 - A17 (A10/AP, A12/BC_n, RAS_n/A16, CAS_n/A15, WE_n/A14 multiplexed) |
| Connectivity Test Mode | — | TEN (optional input on x4/x8, required on x16) |
| Lead-Free | — | Yes |
| 할로겐 프리 | — | Yes |
| Datasheet Revision | — | Rev. 1.2 / July 2017 |