H5ANAG6NBJR-PBC vs H5AN4G6NBJR-UHC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5ANAG6NBJR-PBC por SK hynix e H5AN4G6NBJR-UHC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

SK hynix
H5ANAG6NBJR-PBC H5ANAG6NBJR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5ANAG6NBJR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5ANAG6NBJR-PBC ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5ANAG6NBJR-PBC H5AN4G6NBJR-UHC
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $6,45 $8,09
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gb (2 GB) —
Tensão de alimentação 1.2 V —
Generation Max Data Rate 3200 MT/s (family max) —
Encapsulamento FBGA-96 FBGA-96 (PBGA-96)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Self Refresh Auto self-refresh Auto self-refresh
Data Mask Function Yes Yes (DM)
Asynchronous Reset Yes Yes (RESET_n)
On-Chip Termination Dynamic ODT —
ZQ Calibration Yes Yes
Write Leveling Yes Yes
CRC Function Yes Yes (command/address CRC)
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: Operating Temperature] -40C to +95C
Speed Bin (PBC) [DATA_NEEDED: Speed grade MT/s] —
Organização da memória [DATA_NEEDED: Organization x16/x8] 256M x 16
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] Compliant
Tamanho da memória — 4 Gbit
Clock Frequency — 1.6 GHz
Supply Voltage (VDD) — 1.14 V to 1.26 V
Technology — CMOS
On-Die Termination — Dynamic ODT

Fichas técnicas e recursos

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