H5ANAG6NBJR-PBC vs H5AN4G6NBJR-UHC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG6NBJR-PBC par SK hynix et H5AN4G6NBJR-UHC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5ANAG6NBJR-PBC | H5AN4G6NBJR-UHC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,45 | $8,09 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb (2 GB) | — |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | — |
| Generation Max Data Rate | 3200 MT/s (family max) | — |
| Boîtier | FBGA-96 | FBGA-96 (PBGA-96) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Self Refresh | Auto self-refresh | Auto self-refresh |
| Data Mask Function | Yes | Yes (DM) |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes (RESET_n) |
| On-Chip Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | Yes (command/address CRC) |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | -40C to +95C |
| Speed Bin (PBC) | [DATA_NEEDED: Speed grade MT/s] | — |
| Organisation de la mémoire | [DATA_NEEDED: Organization x16/x8] | 256M x 16 |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | Compliant |
| Taille de mémoire | — | 4 Gbit |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Technology | — | CMOS |
| On-Die Termination | — | Dynamic ODT |