HI5812KIBZ vs HI5812JIBZ Comparação
Comparação detalhada lado a lado de HI5812KIBZ por Renesas Electronics e HI5812JIBZ por Renesas Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | HI5812KIBZ | HI5812JIBZ |
|---|---|---|
| Marca | Renesas Electronics | Renesas Electronics |
| Categoria | ADC/DAC | ADC/DAC |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $7,05 | $3,18 |
| Resolução | 12 bit | 12 bit |
| Number of Channels | 1 | 1 single-ended input |
| Converter Type | SAR (Successive Approximation) | — |
| Taxa de amostragem | 50 ksps | — |
| Conversion Time | 20 us | 20 us (typical) |
| Tensão de alimentação | 3 V to 6 V (single supply) | — |
| Supply Current (typical) | 1.9 mA | — |
| Input Type | Single-Ended | — |
| Track-and-Hold | Internal | — |
| Data Interface | Parallel (12-bit) | — |
| Architecture | CMOS, charge-redistribution SAR | SAR (Successive Approximation) with internal Track-and-Hold |
| Encapsulamento | 24-SOIC (0.295 inch, 7.50 mm width) | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | — |
| Temperatura de operação | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| INL (typical) | [DATA_NEEDED: INL max in LSB] | — |
| DNL | [DATA_NEEDED: DNL max in LSB] | — |
| Sample Rate | — | 50 kSPS (max) |
| Faixa de tensão de entrada | — | 0 V to VREF (unipolar) |
| Reference Voltage (VREF) | — | [DATA_NEEDED: VREF max] |
| Integral Linearity Error (INL) | — | 1.5 LSB (max) |
| Analog Supply Voltage (VDD) | — | +5 V |
| Digital Interface | — | Parallel, user-selectable 12-bit / 8-bit MSB / 4-bit LSB |
| Tipo de saída | — | Three-state CMOS, latched across one full conversion |
| Control Inputs/Outputs | — | CONVERT_START (input), DATA_READY (flag) |
| Internal Clock | — | On-chip oscillator |
| Power Dissipation | — | 25 mW |
| Faixa de temperatura de operação | — | -40 C to +85 C |
| Package / Mounting | — | 24-pin SOIC (wide body), surface mount |
| Process Technology | — | High-speed CMOS with thin-film DAC |