IAUC100N04S6N022ATMA1 vs IAUC60N04S6L030HATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IAUC100N04S6N022ATMA1 por Infineon e IAUC60N04S6L030HATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
IAUC100N04S6N022ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon
IAUC100N04S6N022ATMA1 ✓ AtivoInfineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | IAUC100N04S6N022ATMA1 | IAUC60N04S6L030HATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,82 | $0,94 |
| Technology | OptiMOS 6, N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 100 A | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | 75 W | — |
| R_DS(on) (typ at V_GS=10V) | 2.2 mOhm | — |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8 (5x6 mm) leadless | PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Faixa de temperatura de operação | -55C to +175C (junction) | — |
| Polarity | N-Channel enhancement mode | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q100 (IAUC family) | AEC-Q101 (per part number suffix) |
| Contagem de pinos | 8 | — |
| Gate Threshold V_GS(th) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Total Gate Charge Q_g | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Nível MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Series | — | OptiMOS 6 |
| Configuration | — | Half-Bridge (2 N-Channel) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TJ | — | 60 A |
| On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V | — | 3.0 mOhm (typical) |
| Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V | — | 35 nC |
| Output Capacitance (Coss) | — | 2.128 nF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 596 pF |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2 V |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC | — | 75 W |
| Temperatura de junção de operação | — | -55 C to +175 C |