IAUC100N08S5N043ATMA1 vs IAUC90N10S5N062ATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IAUC100N08S5N043ATMA1 por Infineon e IAUC90N10S5N062ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
IAUC100N08S5N043ATMA1 - 80V 100A 4.3mΩ N-Ch MOSFET | Infineon
IAUC100N08S5N043ATMA1 ✓ AtivoInfineon
IAUC90N10S5N062ATMA1 - 100V 90A 6.2mOhm OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUC90N10S5N062ATMA1 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | IAUC100N08S5N043ATMA1 | IAUC90N10S5N062ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $1,72 | $0,95 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Series | IAUC / OptiMOS 5 | — |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) | — |
| Maximum Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) | 100 A (package limited) | — |
| Continuous Drain Current (chip-limited) | 120 A at T<sub>C</sub>=25°C, R<sub>thJC</sub>=1.2 K/W | — |
| Maximum R<sub>DS(on)</sub> | 4.3 mΩ | — |
| Maximum Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | 125 W (T<sub>C</sub>) | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55°C to +175°C | — |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8-34 (SuperSO8) | PG-TDSON-8-34 (TDSON-8) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Contagem de pinos | 8 | — |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | MSL1 (up to 260°C peak reflow) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 qualified |
| Avalanche Rating | 100% Avalanche Tested | — |
| RoHS / REACH | RoHS Compliant (Green Product) | — |
| Technology | OptiMOS 5 (Trench) | Trench MOSFET (OptiMOS 5, Generation 5) |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Product Family | — | OptiMOS 5 |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 90 A |
| Maximum On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 6.2 mOhm |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.8 V |
| Maximum Power Dissipation (Tc=25C) | — | 115 W |
| Temperatura de junção de operação | — | -55 C to +175 C |
| Avalanche Rated | — | Yes (100% avalanche tested) |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | — | MSL1 (260 C peak reflow) |
| RoHS / Green Product | — | Yes (RoHS compliant, Green Product) |
| Lead-Free | — | Yes |