IAUC120N04S6L005ATMA1 vs IAUC120N06S5L032ATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IAUC120N04S6L005ATMA1 por Infineon e IAUC120N06S5L032ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
IAUC120N04S6L005ATMA1 - 40V 120A 0.55mΩ N-Channel MOSFET | Infineon
IAUC120N04S6L005ATMA1 ✓ AtivoInfineon
IAUC120N06S5L032ATMA1 - 60V 120A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IAUC120N06S5L032ATMA1 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | IAUC120N04S6L005ATMA1 | IAUC120N06S5L032ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,92 | $0,82 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IAUC120N04S6L005ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 6, N-Channel Trench MOSFET | OptiMOS 5 Trench |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 120 A (Tj) | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | 187 W | — |
| RDS(on) max at VGS=10 V | 0.55 mΩ at 60 A | — |
| RDS(on) max at VGS=4.5 V | 0.85 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±16 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 177 nC at VGS=10 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 11.203 nF at 25 V | — |
| Output Capacitance (Coss) | 2.982 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 175 pF | — |
| Temperatura de junção de operação | -55 °C to +175 °C | — |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8-53 (5x6 mm) | PG-TDSON-8-34 (5x6 mm) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Product Family | — | OptiMOS 5 (60 V) |
| Tipo de transistor | — | N-Channel, Enhancement Mode |
| Drain-to-Source Voltage (V_DS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (I_D, T_j) | — | 120 A |
| R_DS(on) Max (V_GS = 10 V) | — | 3.2 mOhm |
| Power Dissipation (P_D, T_C = 25 C) | — | 94 W |
| Faixa de temperatura de operação | — | -55 C to +175 C (T_j) |
| AEC-Q101 Qualified | — | Yes |
| Nível MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max] |
| Total Gate Charge Q_G | — | [DATA_NEEDED: Q_G total at V_GS=10V] |