IAUC120N04S6N009ATMA1 vs IAUC100N10S5L040ATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IAUC120N04S6N009ATMA1 por Infineon e IAUC100N10S5L040ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
IAUC120N04S6N009ATMA1 - 40V 120A 0.9mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon
IAUC120N04S6N009ATMA1 ✓ AtivoInfineon
IAUC100N10S5L040ATMA1 - 100V 4mΩ 100A N-Channel MOSFET | Infineon
IAUC100N10S5L040ATMA1 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | IAUC120N04S6N009ATMA1 | IAUC100N10S5L040ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $1,60 | $1,94 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 6 40V | OptiMOST 5 Power-Transistor (IAUC) |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 120 A | — |
| Corrente de dreno pulsada | [DATA_NEEDED: pulsed I_D value] | — |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | 0.9 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] | — |
| Total Gate Charge Q_g typ | [DATA_NEEDED: Q_g typical] | — |
| Power Dissipation (Tc) | 150 W | — |
| Thermal Resistance R_thJC max | 1.0 K/W | — |
| Temperatura de junção de operação | -55 °C to +175 °C | — |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) | PG-TDSON-8-34 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 qualified |
| Nível MSL | 1 | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes (per Infineon product page) | — |
| Tipo de transistor | — | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 400 A |
| On-State Resistance RDS(on) max | — | 4 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | Logic Level |
| Continuous Power Dissipation (Tc) | — | 167 W |
| Faixa de temperatura de operação | — | -55 C to +175 C (junction) |
| MSL Moisture Sensitivity | — | MSL1 (up to 260 C peak reflow) |
| Avalanche Tested | — | 100% production avalanche tested |
| AOI Compatibility | — | Feasible for automatic optical inspection |