IAUC120N04S6N009ATMA1 vs IAUC120N06S5N022ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUC120N04S6N009ATMA1 por Infineon e IAUC120N06S5N022ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IAUC120N04S6N009ATMA1 IAUC120N06S5N022ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,60 $1,68
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS 6 40V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DSS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 120 A —
Corrente de dreno pulsada [DATA_NEEDED: pulsed I_D value] —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 0.9 mΩ —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] —
Total Gate Charge Q_g typ [DATA_NEEDED: Q_g typical] —
Power Dissipation (Tc) 150 W —
Thermal Resistance R_thJC max 1.0 K/W —
Temperatura de junção de operação -55 °C to +175 °C —
Encapsulamento PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) PG-TDSON-8-34 (TDSON EP 5x6)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
Nível MSL 1 —
RoHS Compliant —
Lead-Free / Halogen-Free Yes (per Infineon product page) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) — 170 A (Tj)
On-Resistance RDS(on) max — 2.2 mΩ at VGS=10 V
Power Dissipation (PD) — 136 W (Tc)
Faixa de temperatura de operação — [DATA_NEEDED: TJ min/max]
Technology — OptiMOS-5 trench
Channel Type — N-Channel
Contagem de pinos — 8 (with exposed pad)
Status RoHS — Compliant
Livre de halogênio — Yes (per Infineon product family convention)
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: typical Qg]
RDS(on) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) @4.5V]

Fichas técnicas e recursos

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